Американская компания Micron объявила, что в конце этого года представит свою первую многослойную память типа HBM (High Bandwidth Memory) второго поколения. Это позволит компании выйти на рынок флагманских графических адаптеров, различных сетевых устройств и систем для ускорения ИИ и машинного обучения.
На данный момент Micron остаётся последней компанией из «большой тройки» (остальные две это Samsung Electronics и SK Hynix), не имеющей HBM в своем ассортименте. Новый крупный игрок в данном направлении позволит усилить конкуренцию и расширить предложение, что в конечном счете отразится на цене HBM.
Последние годы Micron всегда выступала лидером по инновациям технологий памяти, однако в приоритете были другие типы DRAM. Её усилия были сосредоточены на GDDR5X, GDDR6, DDR5, а также многослойной памяти Hybrid Memory Cube (HMC), выступающей конкурентной технологией для HBM.
Hybrid Memory Cube была представлена около 10 лет назад консорциумом в составе Samsung, Micron Technology, ARM, Hewlett-Packard и других. Она использует трёхмерную сборку из нескольких чипов DRAM-памяти с интегрированным контроллером, связанных между собой при помощи технологии сквозных межкремниевых соединений (through-silicon vias). HMC ограничено применялась в сфере суперкомпьютеров и ускорителей, но в итоге проиграла битву HBM/HBM2. В 2018 году Micron свернула проект в пользу GDDR6 и HBM.
Micron пока не раскрывает спецификации своих первых микросхем HBM2. Ожидается, что базовые ячейки DRAM будут производиться с использованием технологических процессов 10-нм класса (1y или 1z).
Источник:
AnandTech